| 专利名称: | 一种高场高均匀度超导磁体失超保护电路 |
| 专利类别: | 发明 |
| 申请号: | |
| 申请日期: | 2021/12/15 |
| 专利号: | 202111535835.3 |
| 第一发明人: | 陈顺中 王耀辉 孙万硕 孙金水 程军胜 王秋良 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | |
| 其它备注: | |
一种高场高均匀度超导磁体失超保护电路
| 专利名称: | 一种高场高均匀度超导磁体失超保护电路 |
| 专利类别: | 发明 |
| 申请号: | |
| 申请日期: | 2021/12/15 |
| 专利号: | 202111535835.3 |
| 第一发明人: | 陈顺中 王耀辉 孙万硕 孙金水 程军胜 王秋良 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | |
| 其它备注: | |